npn型三極管的電晶體是以電洞(帶正電)為多數載子，pnp型三極管則相反是以電子(帶負電)為多數載子，而在控制電晶體動作上必須利用電流的順向偏壓或逆向偏壓來操作，所以在接點所需的電壓大小及正負值必須要正確才能驅動電晶體的動作 。
三極管是一種固態(tài)裝置元件，它具有體積小、效率高、壽命長及速度快等優(yōu)點。近年來由于技術的進步，已有大量的耐高壓、能承受大功率的晶體被制造出來，因此電晶體在功率放大上，一直扮演著重要的角色。
電晶體的結構很像二極體，不過比二極體多出了一個 接合面。將二層n型半導體，中間夾以一層很薄的p型半導體，即成npn型電晶體；或 將二層p型半導體，中間夾以一層很薄的n型半導體，即成pnp型電晶體。
三極管將電晶體的三層晶片都分別列出接線成為電極，中間一片稱為基極(base,b)，另兩極分別稱為射極(emitter,e) 及集極(collector,c)。射極能發(fā)射多數載體，基極可控制流向集極之多數載體的數量。集極則能收集射極發(fā)射的多數載體，如圖3-15(b)所示，為電晶體的符號，射極之箭頭向外的為npn型；射極之箭頭向內的為pnp型。
NPN和PNP主要就是電流方向和電壓正負不同，說得“專業(yè)”一點，就是“極性”問題。
NPN三極管 是用 B→E 的電流（IB）控制 C→E 的電流（IC），E極電位低，且正常放大時通常C極電位最高，即 VC > VB > VE
PNP 是用 E→B 的電流（IB）控制 E→C 的電流（IC），E極電位最高，且正常放大時通常C極電位低，即 VC < VB < VE
總之 VB 一般都是在中間，VC 和 VE 在兩邊，這跟通常的 BJT 符號中的位置是一致的，你可以利用這個幫助你的形象思維和記憶。而且BJT的各極之間雖然不是純電阻，但電壓方向和電流方向同樣是一致的，不會出現電流從低電位處流行高電位的情況。
如今流行的電路圖畫法，也就是“正電源在上負電源在下”。那NPN電路中，E 最終都是接到地板（直接或間接），C 最終都是接到天花板（直接或間接）。
PNP三極管電路則相反，C 最終都是接到地板（直接或間接），E 最終都是接到天花板（直接或間接）。這也是為了滿足上面的VC 和 VE的關系。一般的電路中，有了NPN的，你就可以按“上下對稱交換”的方法得到 PNP 的版本。無論何時，只要滿足上面的6個“極性”關系（4個電流方向和2個電壓不等式），BJT電路就可能正常工作。當然，要保證正常工作，還必須保證這些電壓、電流滿足一些進一步的定量條件，即所謂“工作點”條件。
對于NPN電路：
對于共射組態(tài)，可以粗略理解為把VE當作“固定”參考點，通過控制VB來控制VBE（VBE=VB-VE），從而控制IB，并進一步控制IC（從電位更高的地方流進C極，你也可以把C極看作朝上的進水的漏斗）。 對于共基組態(tài)，可以理解為把VB當作固定參考點，通過控制VE來控制VBE（VBE=VB-VE），從而控制IB，并進一步控制IC。
如果所需的輸出信號不是電流形式，而是電壓形式，這時就在 C 極加一個電阻 RC，把 IC 變成電壓 IC*RC。但為滿足 VC>VE， RC 另一端不接地，而接正電源。 而且純粹從BJT本身角度，而不考慮輸入信號從哪里來，共射組態(tài)和共基組態(tài)其實很相似，反正都是控制VBE，只不過一個“固定” VE，改變VB，一個固定VB，改變VE。
三極管對于共射組態(tài)，沒有“固定參考點”了，可以理解為利用VBE隨IC或IE變化較小的特性，使得不論輸出電流IE怎么變化（當然也有個限度），VE基本上始終跟隨VB變化（VE=VB-VBE），VB升高，VE也升高，VB降低，VE也降低，這就是電壓跟隨器的名稱的由來。
PNP電路跟NPN是對稱的，例如：
對于共射組態(tài)，可以粗略理解為把VE當作“固定”參考點，通過控制VB來控制VEB（VEB=VE-VB），從而控制IB，并進一步控制IC（從C極流向電位更低的地方，你也可以把C極看作朝下的出水管）。
對于共基組態(tài)，可以理解為把VB當作固定參考點，通過控制VE來控制VEB（VEB=VE-VB），從而控制IB，并進一步控制IC。
??
上面所有的VE的“固定”二字都加了引號。因為E點有時是串聯負反饋的引入點，這時VE也是變化的，但這個變化是反饋信號，即由VB變化這個因造成的果。
型號 極性 PCM(W） ICM（mA） BU(CEO)V fT(MHZ) hFE 主要用途 9011 NPN 0.4 30 50 370
28～198 通用功率放大
9012 PNP 0.625 500 40
64～202
9013 NPN 0.625 500 40 64～202
9014 NPN 0.625 100 50 270 60～1000 9015 PNP 0.45 100 50 190 60～600 9016 NPN 0.4 25 30 620 28～198 低噪聲放大管 9018 NPN 0.4 50 30 1100 28～198 低噪聲高頻放大管 8050 NPN 1 1.5A 25 190 85～300 通用功率放大管 8550 PNP
1
1.5A
25
200
60～300
通用功率放大管
901x系列三極管
9011,9012,9013,9014,8050,8550三極管的區(qū)別
9011 NPN 30V 30mA 400mW 150MHz 放大倍數20-80 9012 PNP 50V 500mA 600mW 低頻管 放大倍數30-90 9013 NPN 20V 625mA 500mW 低頻管 放大倍數40-110 9014 NPN 45V 100mA 450mW 150MHz 放大倍數20-90 8050 NPN 25V 700mA 200mW 150MHz 放大倍數30-100 8550 PNP 40V 1500mA 1000mW 200MHz 放大倍數40-140
詳情如下： 90系列三極管參數
90系列三極管大多是以90字為開頭的，但也有以ST90、C或A90、S90、SS90、UTC90開頭的，它們的特性及管腳排列都是一樣的。
9011 結構：NPN
集電極-發(fā)射極電壓 30V 集電極-基電壓 50V 射極-基極電壓 5V 集電極電流 0.03A 耗散功率 0.4W 結溫 150℃
特怔頻率 平均 370MHZ
放大倍數：D28-45 E39-60 F54-80 G72-108 H97-146 I132-198
9012 結構：PNP
集電極-發(fā)射極電壓 -30V 集電極-基電壓 -40V 射極-基極電壓 -5V 集電極電流 0.5A 耗散功率 0.625W 結溫 150℃
特怔頻率 最小 150MHZ
放大倍數：D64-91 E78-112 F96-135 G122-166 H144-220 I190-300
9013 結構：NPN
集電極-發(fā)射極電壓 25V
集電極-基電壓 45V 射極-基極電壓 5V 集電極電流 0.5A 耗散功率 0.625W 結溫 150℃
特怔頻率 最小 150MHZ
放大倍數：D64-91 E78-112 F96-135 G122-166 H144-220 I190-300
9014 結構：NPN
集電極-發(fā)射極電壓 45V 集電極-基電壓 50V 射極-基極電壓 5V 集電極電流 0.1A 耗散功率 0.4W 結溫 150℃
特怔頻率 最小 150MHZ
放大倍數：A60-150 B100-300 C200-600 D400-1000
9015 結構：PNP
集電極-發(fā)射極電壓 -45V 集電極-基電壓 -50V 射極-基極電壓 -5V 集電極電流 0.1A 耗散功率 0.45W 結溫 150℃
特怔頻率 平均 300MHZ
放大倍數：A60-150 B100-300 C200-600 D400-1000
9016 結構：NPN
集電極-發(fā)射極電壓 20V 集電極-基電壓 30V 射極-基極電壓 5V 集電極電流 0.025A 耗散功率 0.4W 結溫 150℃
特怔頻率 平均 620MHZ
放大倍數：D28-45 E39-60 F54-80 G72-108 H97-146 I132-198
9018 結構：NPN
集電極-發(fā)射極電壓 15V 集電極-基電壓 30V 射極-基極電壓 5V 集電極電流 0.05A 耗散功率 0.4W 結溫 150℃
特怔頻率 平均 620MHZ
放大倍數：D28-45 E39-60 F54-80 G72-108 H97-146 I132-198
三極管8550
8550是一種常用的普通三極管。
它是一種低電壓,大電流,小信號的PNP型硅三極管 集電極-基極電壓Vcbo：-40V 工作溫度：-55℃ to +150℃ 和8050（NPN）相對
主要用途： 開關應用，射頻放大
三極管8050
8050是常用的NPN小功率三級管，下面是的8050引腳圖參數資料。 <8050管腳圖>
8050三級管參數:類型:開關型; 極性:NPN; 材料:硅; 最大集存器電流(A):0.5 A; 直流電增益:10 to 60; 功耗:625 mW; 最大集存器發(fā)射電（VCEO）:25; 頻率:150 KHz
PE8050 硅 NPN 30V 1.5A 1.1W
3DG8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *K 2SC8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *K MC8050 硅 NPN 25V 700mA 200mW 150MHz CS8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *K
