SBD的結(jié)構(gòu)及特點(diǎn)使其適合于在低壓、大電流輸出場(chǎng)合用作高頻整流，在非常高的頻率下（如X波段、C波段、S波段和Ku波段）用于檢波和混頻，在高速邏輯電路中用作箝位。在IC中也常使用SBD，像SBD?TTL集成電路早已成為TTL電路的主流，在高速計(jì)算機(jī)中被廣泛采用。
除了普通PN結(jié)二極管的特性參數(shù)之外，用于檢波和混頻的SBD電氣參數(shù)還包括中頻阻抗（指SBD施加額定本振功率時(shí)對(duì)指定中頻所呈現(xiàn)的阻抗，一般在200Ω～600Ω之間）、電壓駐波比（一般≤2）和噪聲系數(shù)等。
9作用
肖特基二極管肖特基（Schottky）二極管，又稱(chēng)肖特基勢(shì)壘二極管（簡(jiǎn)稱(chēng) SBD），它屬一種低功耗、超高速半導(dǎo)體器件。最顯著的特點(diǎn)為反向恢復(fù)時(shí)間極短（可以小到幾納秒），正向?qū)▔航祪H0.4V左右。其多用作高頻、低壓、大電流整流二極管、續(xù)流二極管、保護(hù)二極管，也有用在微波通信等電路中作整流二極管、小信號(hào)檢波二極管使用。在通信電源、變頻器等中比較常見(jiàn)。
一個(gè)典型的應(yīng)用，是在雙極型晶體管 BJT 的開(kāi)關(guān)電路里面，通過(guò)在 BJT 上連接 Shockley 二極管來(lái)箝位，使得晶體管在導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)其實(shí)處于很接近截止?fàn)顟B(tài)，從而提高晶體管的開(kāi)關(guān)速度。這種方法是 74LS，74ALS，74AS 等典型數(shù)字 IC 的 TTL內(nèi)部電路中使用的技術(shù)。
肖特基（Schottky）二極管的最大特點(diǎn)是正向壓降 VF 比較小。在同樣電流的情況下，它的正向壓降要小許多。另外它的恢復(fù)時(shí)間短。它也有一些缺點(diǎn)：耐壓比較低，漏電流稍大些。選用時(shí)要全面考慮。
10檢測(cè)
肖特基（Schottky）二極管也稱(chēng)肖特基勢(shì)壘二極管（簡(jiǎn)稱(chēng)SBD），它是一種低
肖特基二極管結(jié)構(gòu)符號(hào)特性曲線
功耗、超高速半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源、變頻器、驅(qū)動(dòng)器等電路，作高頻、低壓、大電流整流二極管、續(xù)流二極管、保護(hù)二極管使用，或在微波通信等電路中作整流二極管、小信號(hào)檢波二極管使用。
性能比較
下表列出了肖特基二極管和超快恢復(fù)二極管、快恢復(fù)二極管、硅高頻整流二極管、硅高速開(kāi)關(guān)二極管的性能比較。由表可見(jiàn)，硅高速開(kāi)關(guān)二極管的trr雖極低，但平均整流電流很小，不能作大電流整流用。
檢測(cè)方法
下面通過(guò)一個(gè)實(shí)例來(lái)介紹檢測(cè)肖特基二極管的方法。檢測(cè)內(nèi)容包括：①識(shí)別電極；②檢查管子的單向?qū)щ娦?；③測(cè)正向?qū)航?span>VF
；④測(cè)量反向擊穿電壓VBR。被測(cè)管為B82-004型肖特基管，共有三個(gè)管腳，將管腳按照正面（字面朝向人）從左至右順序編上序號(hào)①、②、③。選擇500型萬(wàn)用表的R×1檔進(jìn)行測(cè)量，全部數(shù)據(jù)整理成下表：
肖特基二極管測(cè)試結(jié)論：
第一，根據(jù)①—②、③—④間均可測(cè)出正向電阻，判定被測(cè)管為共陰對(duì)管，①、③腳為兩個(gè)陽(yáng)極，②腳為公共陰極。
第二，因①—②、③—②之間的正向電阻只幾歐姆，而反向電阻為無(wú)窮大，故具有單向?qū)щ娦浴?
第三，內(nèi)部?jī)芍恍ぬ鼗O管的正向?qū)▔航捣謩e為0.315V、0.33V，均低于手冊(cè)中給定的最大允許值VFM(0.55V)。
另外使用ZC 25-3型兆歐表和500型萬(wàn)用表的250VDC檔測(cè)出，內(nèi)部?jī)晒艿姆聪驌舸╇妷?/span>VBR依次為140V、135V。查手冊(cè)，B82-004的最高反向工作電壓（即反向峰值電壓）VBR=40V。表明留有較高的安全系數(shù).
11其它
高壓SBD
長(zhǎng)期以來(lái)，在輸出12V～24V的SMPS中，次級(jí)邊的高頻整流器只有選用100V
肖特基二極管
的SBD或200V的FRED。在輸出24V～48V的SMPS中，只有選用200V～400V的FRED。設(shè)計(jì)者迫切需要介于100V～200V之間的150VSBD和用于48V輸出SMPS用的200VSBD。近兩年來(lái)，美國(guó)IR公司和APT公司以及ST公司瞄準(zhǔn)高壓SBD的巨大商機(jī)，先后開(kāi)發(fā)出150V和200V的SBD。這種高壓SBD比原低壓SBD在結(jié)構(gòu)上增加了PN結(jié)工藝，形成肖特基勢(shì)壘與PN結(jié)相結(jié)合的混合結(jié)構(gòu)，如圖2所示。采用這種結(jié)構(gòu)的SBD，擊穿電壓由PN結(jié)承受。通過(guò)調(diào)控N－區(qū)電阻率、外延層厚度和P+區(qū)的擴(kuò)散深度，使反偏時(shí)的擊穿電壓突破了100V這個(gè)長(zhǎng)期不可逾越的障礙，達(dá)到150V和200V。在正向偏置時(shí)，高壓SBD的PN結(jié)的導(dǎo)通門(mén)限電壓為0.6V，而肖特基勢(shì)壘的結(jié)電壓僅約0.3V，故正向電流幾乎全部由肖特基勢(shì)壘供給。
為解決SBD在高溫下易產(chǎn)生由金屬－半導(dǎo)體的整流接觸變?yōu)闅W姆接觸而失去導(dǎo)電性這一肖特基勢(shì)壘的退化問(wèn)題，APT公司通過(guò)退火處理，形成金屬－金屬硅化物－硅勢(shì)壘，從而提高了肖特基勢(shì)壘的高溫性能與可靠性。
肖特基二極管參數(shù)
ST公司研制的150VSBD，是專(zhuān)門(mén)為在輸出12V～24V的SMPS中替代200V的高頻整流FRED而設(shè)計(jì)的。像額定電流為2×8A的STPS16150CT型SBD，起始電壓比業(yè)界居先進(jìn)水平的200V/2×8AFRED（如STRR162CT）低0.07V（典型值為0.47V），導(dǎo)通電阻RD（125℃）低6.5mΩ（典型值為40mΩ），導(dǎo)通損耗低0.18W（典型值為1.14W）。
APT公司推出的APT100S20B、APT100S20LCT和APT2×10IS20型200VSBD，正向平均電流IF（AV）=100A，正向壓降VF≤0.95V，雪崩能量EAS=100mJ。EAS的表達(dá)式為
EAS=VRRM×IAS×td
在式（1）中，200VSBD的VRRM=200V，IAS為雪崩電流，并且IAS≈IF=100A，EAS=100mJ。在IAS下不會(huì)燒毀的維持時(shí)間：td=EAS/（VRRM×IAS）=1000mJ/(200V×100A)=5μs。也就是說(shuō)，SBD在出現(xiàn)雪崩之后IAS=100A時(shí)，可保證在5μs之內(nèi)不會(huì)損壞器件。EAS是檢驗(yàn)肖特基勢(shì)壘可靠性的重要參量200V/100A的SBD在48V輸出的通信SMPS中可替代等額定值的FRED，使整流部分的損耗降低10%～15%。由于SBD的超快軟恢復(fù)特性及其雪崩能量，提高了系統(tǒng)工作頻率和可靠性，EMI也得到顯著的改善。
業(yè)界人士認(rèn)為，即使不采用新型半導(dǎo)體材料，通過(guò)工藝和設(shè)計(jì)創(chuàng)新，SBD的耐壓有望突破200V，但一般不會(huì)超過(guò)600V。
SiC高壓SBD
由于Si和GaAs的勢(shì)壘高度和臨界電場(chǎng)比寬帶半導(dǎo)體材料低，用其制作的SBD擊穿電壓較低，反向漏電流較大。碳化硅（SiC）材料的禁帶寬度大(2.2eV～3.2eV)，臨界擊穿電場(chǎng)高（2V/cm～4×106V/cm），飽合速度快（2×107cm/s），熱導(dǎo)率高為4.9W/（cm·K），抗化學(xué)腐蝕性強(qiáng)，硬度大，材料制備和制作工藝也比較成熟，是制作高耐壓、低正向壓降和高開(kāi)關(guān)速度SBD的比較理想的新型材料。
1999年，美國(guó)Purdue大學(xué)在美國(guó)海軍資助的MURI項(xiàng)目中，研制成功4.9kV的SiC功率SBD，使SBD在耐壓方面取得了根本性的突破。 SBD的正向壓降和反向漏電流直接影響SBD整流器的功率損耗，關(guān)系到系統(tǒng)效率。低正向壓降要求有低的肖特基勢(shì)壘高度，而較高的反向擊穿電壓要求有盡可能高的勢(shì)壘高度，這是相矛盾的。因此，對(duì)勢(shì)壘金屬必須折衷考慮，故對(duì)其選擇顯得十分重要。對(duì)N型SiC來(lái)說(shuō)，Ni和Ti是比較理想的肖特基勢(shì)壘金屬。由于Ni/SiC的勢(shì)壘高度高于Ti/SiC，故前者有更低的反向漏電流，而后者的正向壓降較小。為了獲得正向壓降低和反向漏電流小的SiCSBD，采用Ni接觸與Ti接觸相結(jié)合、高/低勢(shì)
肖特基二極管
壘雙金屬溝槽（DMT）結(jié)構(gòu)的SiCSBD設(shè)計(jì)方案是可行的。采用這種結(jié)構(gòu)的SiCSBD，反向特性與Ni肖特基整流器相當(dāng)，在300V的反向偏壓下的反向漏電流比平面型Ti肖特基整流器小75倍，而正向特性類(lèi)似于NiSBD。采用帶保護(hù)環(huán)的6H－SiCSBD，擊穿電壓達(dá)550V。
據(jù)報(bào)道，C.M.Zetterling等人采用6H?SiC襯底外延10μm的N型層，再用離子注入形成一系列平行P+條，頂層勢(shì)壘金屬選用Ti，這種結(jié)構(gòu)與圖2相類(lèi)似的結(jié)勢(shì)壘肖特基（JunctionBarrierSchottky，縮寫(xiě)為JBS）器件，正向特性與Ti肖特基勢(shì)壘相同，反向漏電流處于PN結(jié)和Ti肖特基勢(shì)壘之間，通態(tài)電阻密度為20mΩ·cm2，阻斷電壓達(dá)1.1kV，在200V反向偏壓下的漏電流密度為10μA/cm2。此外，R·Rayhunathon報(bào)道了關(guān)于P型4H?SiCSBD、6H?SiCSBD的研制成果。這種以Ti作為金屬勢(shì)壘的P型4H?SiCSBD和6H?SiCSBD，反向擊穿電壓分
肖特基二極管
別達(dá)600V和540V，在100V反向偏壓下的漏電流密度小于0.1μA/cm2（25℃）。
SiC是制作功率半導(dǎo)體器件比較理想的材料，2000年5月4日，美國(guó)CREE公司和日在SBD方面，采用SiC材料和JBS結(jié)構(gòu)的器件具有較大的發(fā)展?jié)摿?。在高壓功率二極管領(lǐng)域，SBD肯定會(huì)占有一席之地。 肖特基二極管常見(jiàn)的型號(hào)： MBR300100CT
MBR400100CT
MBR500100CT
MBR600100CT
MBR30050CT
MBR40050CT
MBR50050CT
MBR60050CT
