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美國EOS檢測(cè)器組件
發(fā)布者:scienar  發(fā)布時(shí)間:2019-12-04 15:54:24

美國EOS檢測(cè)器組件

EOS于1991年在加利福尼亞成立,由電力電子領(lǐng)域的幾個(gè)先驅(qū)者成立。EOS是一家具有交匙設(shè)計(jì),制造,銷售和支持運(yùn)營的產(chǎn)品公司。該公司是電源制造商和出口商,并為其客戶提供完整的VAM,ODM和支持和維修服務(wù)。EOS品牌的電源已經(jīng)向全球客戶銷售了超過4000萬臺(tái)。EOS POWER現(xiàn)在已成為許多全球醫(yī)療,工業(yè)和質(zhì)量意識(shí)客戶的電源合作伙伴。

EOS檢測(cè)器組件產(chǎn)品線由各種不同起始材料的光電二極管和光電導(dǎo)體組成,可從業(yè)內(nèi)一個(gè)來源中進(jìn)行廣泛的選擇。EOS在大多數(shù)探測(cè)器類型中提供幾種標(biāo)準(zhǔn)尺寸,并為非標(biāo)準(zhǔn)要求提供定制設(shè)計(jì)服務(wù)。如果您的應(yīng)用需要技術(shù)支持,請(qǐng)咨詢工廠。

產(chǎn)品通??梢苑譃槿齻€(gè)波長區(qū)域,再加上一個(gè)特殊類別,其中包括位置傳感器,2色檢測(cè)器和象限。

UV-VIS / NIR 包括InGaAs,前InGaAs,鍺和硅光電二極管,其覆蓋范圍從0.22.6微米。

近紅外 包括InAsInSb光電二極管,以及覆蓋15.5微米光譜范圍的PbS,PbSeHgCdTe光電導(dǎo)體。

LWIR  包括HgCdTe光電導(dǎo)體以及專用的熱釋電和熱電堆檢測(cè)器,用于覆蓋140微米以上的光譜范圍。

產(chǎn)品范圍:紫外線-VIS / NIR200 nm-2.5微米,近紅外-MWIR 1.0-5.5微米,LWIR2-40微米,象限探測(cè)器,近紅外位置傳感器,2色檢測(cè)器

紫外線-VIS / NIR200 nm-2.5微米

此類別中的組件是硅,鍺,InGaAsInGaAs擴(kuò)展型和光電二極管,其覆蓋范圍從0.22.6微米。這些檢測(cè)器在室溫下或與TE-Cooler一起運(yùn)行,并以各種TO型包裝提供。提供幾種標(biāo)準(zhǔn)直徑以及特殊設(shè)備,例如SiInGaAs象限,2色檢測(cè)器,多元素檢測(cè)器和PSD。

 

近紅外-MWIR 1.0-5.5微米

此類探測(cè)器包括InAsInSb光電二極管以及覆蓋15.5微米光譜范圍的PbSPbSeHgCdTe光電導(dǎo)體。根據(jù)靈敏度要求,使用室溫,TE冷卻和低溫封裝。提供各種標(biāo)準(zhǔn)尺寸和定制尺寸。 

LWIR2-40微米

此類探測(cè)器包括HgCdTe光電導(dǎo)體以及專用的熱釋電和熱電堆探測(cè)器,用于覆蓋140微米以上的光譜范圍。提供各種標(biāo)準(zhǔn)尺寸和自定義幾何形狀。

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