A06B-6089-H106
(1)、MOS場(chǎng)效應(yīng)管是工作電壓控制部件，而晶體管是電流量控制部件。三極管耗損大，場(chǎng)效應(yīng)晶體管耗損較小。
(2)、MOS場(chǎng)效應(yīng)管是利用大部分自由電子導(dǎo)電性，而晶體管是既有大部分自由電子，也利用極少數(shù)自由電子導(dǎo)電性，一般來(lái)說(shuō)成本低場(chǎng)所，一般運(yùn)用的先考慮到用三極管，不好得話考慮到場(chǎng)效應(yīng)晶體管。
(3)、有一些場(chǎng)效應(yīng)管的源極和漏極能夠交換應(yīng)用，柵壓也可正可負(fù)，協(xié)調(diào)能力比晶體管好。
(4)、MOS場(chǎng)效應(yīng)管能在不大電流量和很低壓的標(biāo)準(zhǔn)下工作中，并且它的生產(chǎn)制造技術(shù)能夠很便捷地把許多場(chǎng)效應(yīng)管集成化在一塊單晶硅片上，因而場(chǎng)效應(yīng)管在規(guī)模性集成電路芯片中取得了普遍的運(yùn)用。
(5)、場(chǎng)效應(yīng)晶體管具備較高輸入電阻和低噪音等優(yōu)勢(shì)，因此也被普遍使用于各類(lèi)電子產(chǎn)品中。特別是在用場(chǎng)效應(yīng)管做全部電子產(chǎn)品的輸入級(jí)，能夠得到 一般晶體管難以做到的特性。
(6)、MOS場(chǎng)效應(yīng)管分為結(jié)型和絕緣層?xùn)判蛢深?lèi)，其操縱基本原理全是一樣的。
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