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(1)、MOS場效應(yīng)管是工作電壓控制部件，而晶體管是電流量控制部件。三極管耗損大，場效應(yīng)晶體管耗損較小。
(2)、MOS場效應(yīng)管是利用大部分自由電子導(dǎo)電性，而晶體管是既有大部分自由電子，也利用極少數(shù)自由電子導(dǎo)電性，一般來說成本低場所，一般運用的先考慮到用三極管，不好得話考慮到場效應(yīng)晶體管。
(3)、有一些場效應(yīng)管的源極和漏極能夠交換應(yīng)用，柵壓也可正可負，協(xié)調(diào)能力比晶體管好。
(4)、MOS場效應(yīng)管能在不大電流量和很低壓的標(biāo)準(zhǔn)下工作中，并且它的生產(chǎn)制造技術(shù)能夠很便捷地把許多場效應(yīng)管集成化在一塊單晶硅片上，因而場效應(yīng)管在規(guī)模性集成電路芯片中取得了普遍的運用。
(5)、場效應(yīng)晶體管具備較高輸入電阻和低噪音等優(yōu)勢，因此也被普遍使用于各類電子產(chǎn)品中。特別是在用場效應(yīng)管做全部電子產(chǎn)品的輸入級，能夠得到 一般晶體管難以做到的特性。
(6)、MOS場效應(yīng)管分為結(jié)型和絕緣層?xùn)判蛢深?，其操縱基本原理全是一樣的。
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