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射陽(yáng)礦用屏蔽雙絞線MHYVRP1*2*32/0.2
發(fā)布者:amhyav  發(fā)布時(shí)間:2024-04-16 02:06:09

射陽(yáng)礦用屏蔽雙絞線MHYVRP1*2*32/0.21.1 光纜結(jié)構(gòu)型式及其名稱

GYTA33—金屬加強(qiáng)構(gòu)件、松套層絞填充式、鋁-聚乙烯粘結(jié)護(hù)套、單細(xì)圓鋼絲鎧裝、聚乙烯套通信用室外光纜

1.2 射陽(yáng)礦用屏蔽雙絞線MHYVRP1*2*32/0.2規(guī)格要求

1.2.1光纜中的光纖應(yīng)是符合GB/T9771規(guī)定的B1.3類(即波長(zhǎng)段擴(kuò)展的非色散位移單模光纖)的單模光纖。

1.2.2光纜中的光纖數(shù)為用戶要求的芯數(shù)。

1.3 射陽(yáng)礦用屏蔽雙絞線MHYVRP1*2*32/0.2結(jié)構(gòu)要求

1.3.1 光纜應(yīng)由層絞結(jié)構(gòu)的纜芯和護(hù)層兩大部分構(gòu)成,其中,護(hù)層又包括護(hù)套和外護(hù)層。

1.3.2 光纜應(yīng)是全截面阻水結(jié)構(gòu),即水在纜芯和護(hù)層中都不能縱向滲流,但鋼絲鎧裝部分可除外。

1.3.3 同批、同塑式規(guī)格的光纜產(chǎn)品應(yīng)具有相同結(jié)構(gòu)排列和相同識(shí)別色譜。

1.3.4 纜芯通常包括中心加強(qiáng)構(gòu)件、松套光纖絞層(含可能有的填充繩)、可能有的扎紗、包帶、內(nèi)襯套等。

1.3.5 用于成纜的單模光纖的涂覆層結(jié)構(gòu)及其剝除力、光纖強(qiáng)度篩選水平及其動(dòng)態(tài)疲勞參數(shù)nd值、模場(chǎng)直徑和尺寸參數(shù)、截止波長(zhǎng)、宏彎損耗和色散等應(yīng)符合GB/T9771 有關(guān)規(guī)定。

1.3.6 金屬加強(qiáng)構(gòu)件宜用高強(qiáng)度單圓鋼絲,也可用由高強(qiáng)度鋼絲構(gòu)成的l×7單股鋼絲繩。高強(qiáng)度鋼絲宜是不銹鋼絲,也可以是磷化鋼絲,其表面應(yīng)圓整光滑。單鋼絲的楊氏模量應(yīng)不低于190GPa,鋼絲繩的有效楊氏模量應(yīng)不低于170GPa。在光纜制造長(zhǎng)度內(nèi)金屬加強(qiáng)構(gòu)件不允許接頭。

1.3.7 外護(hù)層由鎧裝層和外套組成。外套應(yīng)是黑色聚乙烯套,其材料應(yīng)采用線性低密度、中密度或高密度聚乙烯護(hù)套料,并應(yīng)分別符合GB 15065YD/T1485規(guī)定。33型外護(hù)層光纜應(yīng)在護(hù)套外施加一層螺旋層絞的細(xì)圓鍍鋅鋼絲鎧裝層,然后在鎧裝層外擠包一層黑色聚乙烯套,鋼絲鎧裝層宜采用涂覆、填充或(和)浸漬等方法進(jìn)行防腐蝕。鋼絲直徑應(yīng)在0.8mm~2.9mm選定。聚乙烯套厚度的標(biāo)稱值為2.0mm,值應(yīng)不小于1.6mm,任何橫斷面上的平均值應(yīng)不小于1.8mm

1.3.8 光纜外徑應(yīng)不大于20mm。

1.3.9 光纜外表光滑無(wú)瑕疵,外形呈均勻圓度,不能出現(xiàn)菱形或橢圓形等不規(guī)則外形。

1.4光纜中光纖的技術(shù)性能要求

光纜中光纖的技術(shù)性能要求見(jiàn)下表1.1
射陽(yáng)礦用屏蔽雙絞線MHYVRP1*2*32/0.2射陽(yáng)礦用屏蔽雙絞線MHYVRP1*2*32/0.2

   射陽(yáng)礦用屏蔽雙絞線MHYVRP1*2*32/0.2光纖的技術(shù)性能     1.1

序號(hào)

項(xiàng)         

單位

技術(shù)性能

備注

1

光纖類型

 

G.652D

 

2

模場(chǎng)直徑(1310nm)

mm

(8.6~9.5)±0.6

 

3

包層直徑

mm

125.0±1

 

4

模場(chǎng)同心度偏差

mm

0.6

 

5

包層不圓度

%

1

 

6

截止波長(zhǎng)

nm

1260

 

7

光纖宏彎損耗

半徑

mm

30

 

圈數(shù)

100

 

1550nm

dB

0.1

 

8

色度色散系數(shù)

零色散波長(zhǎng)(λ0min~λ0max)

nm

1300~1324

 

零色散斜率

ps/nm2·km

0.092

 

光纜PMDQ

ps/km1/2

0.2

 

9

光纜衰減

13101625nm

dB/km

0.4

 

1550nm

dB/km

0.25

 

10

適用溫度范圍

-20 +70

 

 

1.5光纜的主要技術(shù)性能

1.5.1光纜的拉伸(張力)、絕緣電阻、耐壓強(qiáng)度指標(biāo)應(yīng)符合標(biāo)準(zhǔn)要求。光纜的機(jī)械性能指標(biāo)見(jiàn)下表1.2

射陽(yáng)礦用屏蔽雙絞線MHYVRP1*2*32/0.2射陽(yáng)礦用屏蔽雙絞線MHYVRP1*2*32/0.2光纜機(jī)械性能表     1.2

項(xiàng)目

光纜類型

拉伸(N

側(cè)壓力(N/100mm

短期

長(zhǎng)期

短期

長(zhǎng)期

直埋Ⅰ型光纜

10000

4000

5000

3000

 

表中短期拉伸(張力)是指纜內(nèi)光纖的延伸率應(yīng)0.15%,長(zhǎng)期拉伸(張力)是指光纜拉伸應(yīng)變應(yīng)0.2%,同時(shí)光纜內(nèi)的每根光纖的拉伸應(yīng)變0.05%。光纜短期張力解除后,在1310nm1550nm時(shí)所有光纖上測(cè)得的衰耗應(yīng)無(wú)變化。

1.5.2光纜應(yīng)經(jīng)過(guò)沖擊、反復(fù)彎曲、扭轉(zhuǎn)、卷繞、彎折、振動(dòng)等各項(xiàng)試驗(yàn)后,應(yīng)能滿足檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn),光纜護(hù)層應(yīng)無(wú)裂紋或破損,且結(jié)構(gòu)無(wú)損壞,纜內(nèi)所有光纖應(yīng)無(wú)衰減變化。光纜的技術(shù)性能見(jiàn)下表1.3

射陽(yáng)礦用屏蔽雙絞線MHYVRP1*2*32/0.2光纜技術(shù)性能     1.3

序號(hào)

項(xiàng)         

單位

光纜技術(shù)性能

備注

1

彎曲半徑

工作時(shí)

D

12.5

D為光纜直徑

敷設(shè)時(shí)

D

25

2

光纜外護(hù)層厚度

標(biāo)稱值

mm

2.0

 

平均值

mm

1.8

 

mm

1.6

 

3

外護(hù)層絕緣電阻

MW·km

2000

浸水24小時(shí),測(cè)試電壓500VDC

4

外護(hù)層介電強(qiáng)度

kVDC

15

浸水24小時(shí),測(cè)試時(shí)間2分鐘

5

標(biāo)準(zhǔn)盤長(zhǎng)

m

2000

(允許誤差為:0~+100m

6

溫度范圍

-20 ~ +70

 

7

光纜使用壽命

 

不低于25

在常規(guī)條件下

 

1.6 適用性要求

1.6.1 應(yīng)采用符合GB/T7424GB/T9771、GB/T15972YD/T901標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的光纜光纖。

1.6.2 標(biāo)稱工作波長(zhǎng):1310nm、1550nm

1.7 適用場(chǎng)合:適用于野外一般自然條件下長(zhǎng)途直埋敷設(shè),以及介于直埋間的橋梁、管道和局部架空敷設(shè)。
中電阻R1和R2的取值必須使當(dāng)輸入為+VCC時(shí)的三極管可靠地飽和,即有βIbIes在.21中假設(shè)Vcc=5V,Ies=50mA,β=100,則有Ib0.5mA而Ib=(Vcc-Vbe)/R1-Vbe/R2若取R2=4.7K,則R16.63K,為了使三極管有一定的飽和深度和兼顧三極管電流放大倍數(shù)的離散性,一般取R1=3.6K左右即可。若取R1=3.6K,當(dāng)集成電路控制端為+VCC時(shí),應(yīng)能至少提供1.2mA的驅(qū)動(dòng)電流(流過(guò)R1的電流)給本驅(qū)動(dòng)電路,而許多集成電路(標(biāo)準(zhǔn)8051單片機(jī))輸出的高電平不能達(dá)到這個(gè)要求,但它的低電平驅(qū)動(dòng)能力則比較強(qiáng)(標(biāo)準(zhǔn)8051單片機(jī)I/O口輸出低電平能提供20mA的驅(qū)動(dòng)電流(這里說(shuō)的是漏電流)),則應(yīng)該用如.22所示的電路來(lái)驅(qū)動(dòng)繼電器。

南皮礦用通信電纜MHYV30*2*0.8

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