SEW MCS41A0370-5A3-4-00變頻器導(dǎo)通的意思是作為開(kāi)關(guān),相當(dāng)于開(kāi)關(guān)閉合。
NMOS的特性,Vgs大于一定的值就會(huì)導(dǎo)通,適合用于源極接地時(shí)的情況(低端驅(qū)動(dòng)),只要柵極電壓達(dá)到一定電壓(如4V或10V, 其他電壓,看手冊(cè))就可以了。
PMOS的特性,Vgs小于一定的值就會(huì)導(dǎo)通,適合用于源極接VCC時(shí)的情況(高端驅(qū)動(dòng))。但是,雖然PMOS可以很方便地用作SEW MCS41A0370-5A3-4-00變頻器高端驅(qū)動(dòng),但由于導(dǎo)通電阻大,價(jià)格貴,替換種類(lèi)少等原因,在高端驅(qū)動(dòng)中,通常還是使用NMOS。
MOS開(kāi)關(guān)管損失
不管是NMOS還是PMOS,導(dǎo)通后都有導(dǎo)通電阻存在,因而在DS間流過(guò)電流的同時(shí),兩端還會(huì)有電壓,這樣電流就會(huì)在這個(gè)電阻上消耗能量,這部分消耗的能量叫做導(dǎo)通損耗。選擇導(dǎo)通電阻小的MOS管會(huì)減小導(dǎo)通損耗。現(xiàn)在的小功率MOS管導(dǎo)通電阻一般在幾毫歐,幾十毫歐左右
SEW MCS41A0370-5A3-4-00變頻器在導(dǎo)通和截止的時(shí)候,一定不是在瞬間完成的。MOS兩端的電壓有一個(gè)下降的過(guò)程,流過(guò)的電流有一個(gè)上升的過(guò)程,在這段時(shí)間內(nèi),MOS管的損失是電壓和電流的乘積,叫做開(kāi)關(guān)損失。通常開(kāi)關(guān)損失比導(dǎo)通損失大得多,而且開(kāi)關(guān)頻率越快,導(dǎo)通瞬間電壓和電流的乘積很大,造成的損失也就很大。降低開(kāi)關(guān)時(shí)間,可以減小每次導(dǎo)通時(shí)的損失;降低開(kāi)關(guān)頻率,可以減小單位時(shí)間內(nèi)的開(kāi)關(guān)次數(shù)。這兩種辦法都可以減小開(kāi)關(guān)損失。
MCS41A0370-5A3-4-00
MC31C022-503-4-0008263345
SM100
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Olympus UL WD NeoSPlan100 IC100 0.80 ∞/0 f=180
GENERAL ELECTRIC HXPD PCB BOARD DS3800HXPD1C1E
GENERAL ELECTRIC HMPJ PCB BOARD DS3800HMPJ1A1D
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MKS 937 GAUGE CONTROLLER 937A-120V60TR-CCCTNA232 WORKING