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產(chǎn)品簡(jiǎn)介
香坊MSLYFYVZ-50-9泄漏電纜
香坊MSLYFYVZ-50-9泄漏電纜
產(chǎn)品價(jià)格:¥5
上架日期:2022-05-20 13:21:19
產(chǎn)地:河北廊坊市
發(fā)貨地:河北
供應(yīng)數(shù)量:不限
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詳細(xì)說明
     

    聚氯乙烯絕緣和護(hù)套信號(hào)電纜

    1、香坊MSLYFYVZ-50-9泄漏電纜用途:本產(chǎn)品用于額定電壓不大于250V的組織信號(hào)聯(lián)鎖、火警信號(hào)、電報(bào)及各種自動(dòng)裝置。

    2、產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn):企業(yè)標(biāo)準(zhǔn)

    3、產(chǎn)品使用特性:電纜導(dǎo)電線芯的長(zhǎng)期允許工作溫度應(yīng)不超過+65。敷設(shè)時(shí)電纜的溫度應(yīng)不低于-5,彎曲半徑應(yīng)不小于電纜外徑的10倍。香坊MSLYFYVZ-50-9泄漏電纜

    4、香坊MSLYFYVZ-50-9泄漏電纜電纜型號(hào)和名稱

    型號(hào) 名稱 使用范圍

    PVV 聚氯乙烯絕緣聚氯乙烯護(hù)套信號(hào)電纜 同上,承受較大的機(jī)械外力作用 香坊MSLYFYVZ-50-9泄漏電纜

    型號(hào):PVV

    規(guī)格:3×2.5

          4×2.5

    項(xiàng)目

    單位

    2.5 mm2

    20時(shí)導(dǎo)體直流電阻不大于

    Ω/km

    7.41

    耐交流工頻電壓

    KV/min

    1KV/2min

    絕緣電阻

    MΩ.KM

    60

    5、香坊MSLYFYVZ-50-9泄漏電纜產(chǎn)品主要技術(shù)指標(biāo)

    6、電纜規(guī)格

    規(guī)格

    芯數(shù)×截面積

    mm2

    導(dǎo)體結(jié)構(gòu)

    根數(shù)/直徑

    絕緣標(biāo)稱厚度

    mm

    線芯顏色

    導(dǎo)體絕緣外徑

    mm

    電纜參考外徑

    mm

    3×2.5

    1/1.78

    0.8

    -

    3.38

    10.2

    4×2.5

    1/1.78

    0.8

    ---藍(lán)

    3.38

    11.2

    絕緣層和外護(hù)套都采用聚氯乙烯電纜料。香坊MSLYFYVZ-50-9泄漏電纜

    外護(hù)套應(yīng)緊密擠包在纜芯上,且應(yīng)容易剝離而不損傷絕緣。外護(hù)套表面應(yīng)平整,色澤均勻,無裂縫、氣泡、夾雜或其他機(jī)械損傷。

    香坊MSLYFYVZ-50-9泄漏電纜

    成品電纜

    電纜導(dǎo)電線芯不得有斷線、對(duì)間連電、混線現(xiàn)象。

    耐交流電壓性能:電纜絕緣線芯間及絕緣線芯與屏蔽間應(yīng)能經(jīng)受歷時(shí) 2in/1kv

    流電壓的試驗(yàn),不允許有擊穿和閃絡(luò)現(xiàn)象。在傳感器接線時(shí),首先確認(rèn)傳感器的信號(hào)類型,為PNP還是NPN。如下即為兩種類型傳感器的輸出。NPN型傳感器與PNP型傳感器的輸出接線圖傳感器電纜:棕色-24V+藍(lán)色-24V-白色、黑色-信號(hào)線注意:在同一個(gè)plc輸入模塊上,僅能接入同一種類型的傳感器。即PNP型傳感器和NPN型傳感器不可同時(shí)接入同一個(gè)模塊。在進(jìn)行PLC輸入接線時(shí),需要依據(jù)傳感器的類型來確定PLC輸入采用何種方式。與傳感器類型有如下的對(duì)應(yīng)關(guān)系:NPN型傳感器:PLC側(cè)應(yīng)采用漏型輸入方式;PNP型傳感器:PLC側(cè)應(yīng)采用源性輸入方式。場(chǎng)效應(yīng)管通常分為兩類:JFET和MOSFET。這兩類場(chǎng)效應(yīng)管都是壓控型的器件。場(chǎng)效應(yīng)管有三個(gè)電極,分別為:柵極漏極D和源極S。目前MOSFET應(yīng)用廣泛,JFET相對(duì)較少。MOSFET可以分為NMOS和PMOS,下圖是PMOS的結(jié)構(gòu)圖、NMOS和MOSFET的電路符號(hào)圖。PMOS的結(jié)構(gòu)是這樣的:在N型硅襯底上做了兩個(gè)P型半導(dǎo)體的P+區(qū),這兩個(gè)區(qū)分別叫做源極S和漏極D,在N型半導(dǎo)體的絕緣層上引出柵極G。

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