石家莊長安ZR-JYVP2廠家聚氯乙烯絕緣和護套低頻通信電纜HPVVP產(chǎn)品用途
本產(chǎn)品適用于以下場合作短距離配線:一級配線、二級配線,并與分線設(shè)備相連;引入建筑物內(nèi)的各分支電纜,即屋內(nèi)配線電纜;沿建筑物墻壁敷設(shè)的電纜,即墻壁配線電纜;架空用配線電纜。
結(jié)構(gòu)型式
1、芯線元件的絕緣厚度:參照GB11327.2-89局用電纜規(guī)定。
2、纜芯組成的絞合形式有:
a.纜芯由若干單位絞合而成,或由若干基本單位直接絞合而成。纜芯的推薦結(jié)構(gòu)見表2。
b.單位由若干基本單位或子單位絞合而成。單位分為兩種:50對單位和100對單位。
c.單位由若干對線組絞合而成?;締挝环譃閮煞N:10對基本單位和25對基本單位。
d.必要時,可將若干對線組絞合成等效于一個基本單位的若干子單位(扎帶(絲)顏色均與所代替的基本單位相同),再將這些子單位絞合成單位或纜芯。
一.石家莊長安ZR-JYVP2廠家聚氯乙烯絕緣和護套低頻通信電纜HPVVP
適用范圍
本產(chǎn)品用于線路的始端和終端,供聯(lián)接市內(nèi)電話電纜至分線箱或配線架之用。也可作短距離布線。
二.聚氯乙烯絕緣和護套低頻通信電纜HPVVP使用特性
電纜使用溫度為-10℃~50℃,電纜安裝敷設(shè)時的環(huán)境溫度應(yīng)不低于0℃。彎曲半徑不小于電纜外徑的10倍。
三.石家莊長安ZR-JYVP2廠家聚氯乙烯絕緣和護套低頻通信電纜HPVVP產(chǎn)品型號、名稱
聚氯乙烯絕緣和護套低頻通信電纜HPVVP
四.聚氯乙烯絕緣和護套低頻通信電纜HPVVP使用條件:
沿建筑物墻壁敷設(shè)或架空敷設(shè)。
五.聚氯乙烯絕緣和護套低頻通信電纜HPVVP產(chǎn)品結(jié)構(gòu)示意圖
1. 對絞絕緣線芯2.聚酯薄膜3.鋁箔4. 銅網(wǎng)屏蔽5.護套
六.石家莊長安ZR-JYVP2廠家聚氯乙烯絕緣和護套低頻通信電纜HPVVP規(guī)格范圍
型號:HPVV
導(dǎo)體直徑:0.5
標稱對數(shù):5、10、15、20、25、30、40、50、80、100、150、200
備注:電纜允許增加預(yù)備線對,其數(shù)量不超過電纜標稱對數(shù)的1%,其各項要求與一般線對相同。出廠時合格對數(shù)不應(yīng)小于標稱對數(shù)。
七.配線電纜HPVV規(guī)格尺寸及重量
規(guī)格 |
導(dǎo)體直徑 Mm |
對數(shù) |
電纜計算外徑 Mm |
計算重量 Kg/km |
5×2×0.5 |
0.5 |
5 |
8.35 |
78 |
10×2×0.5 |
10 |
10.72 |
124 |
|
15×2×0.5 |
15 |
12.99 |
188 |
|
20×2×0.5 |
20 |
13.54 |
222 |
|
25×2×0.5 |
25 |
15.64 |
270 |
|
32×2×0.5 |
32 |
16.3 |
320 |
|
40×2×0.5 |
40 |
17.18 |
372 |
|
50×2×0.5 |
50 |
19.75 |
454 |
|
80×2×0.5 |
80 |
24.39 |
715 |
|
100×2×0.5 |
100 |
27.28 |
864 |
|
150×2×0.5 |
150 |
31.67 |
909 |
|
200×2×0.5 |
200 |
35.31 |
1540 |
八.聚氯乙烯絕緣和護套低頻通信電纜HPVVP主要技術(shù)性能
1.20℃時導(dǎo)線直流電阻不大于95.0Ω/km
2.20℃時絕緣電阻不小于60MΩ﹒km
3.耐壓試驗交流電壓500V 50Hz,2min不擊穿。
九.聚氯乙烯絕緣和護套低頻通信電纜HPVVP交貨規(guī)定:電纜制造長度應(yīng)不小于200m。在雙方同意下允許以任何長度的電纜交貨。石家莊長安ZR-JYVP2廠家相鄰兩盤、柜、臺接縫處正面的平面度允許偏差為(1mm)。3(四氟填料)使用壽命短,在極限溫度下只能用到3-5個月。3雙法蘭式差壓變送器毛細管的敷設(shè)應(yīng)有(防護措施),其彎曲半徑應(yīng)小于(50mm),周圍溫度變化劇烈時應(yīng)采取隔熱措施。3執(zhí)行機構(gòu)的(機械傳動)應(yīng)靈活,無松動和卡澀現(xiàn)象。3當線路周圍環(huán)境溫度超過65℃時,應(yīng)采取(隔熱措施);當線路附近有火源時,應(yīng)采取(防火措施)。3線路進入室外的盤、柜、箱時,宜從(底部)進入,并應(yīng)有(防水密封)措施。正接時候,R1提供VGS電壓,MOS飽和導(dǎo)通。反接的時候MOS不能導(dǎo)通,所以起到防反接作用。功率MOS管的Rds(on)只有20mΩ實際損耗很小,3A的電流,功耗為(3×3)×0.02=0.18W根本不用外加散熱片。解決了現(xiàn)有采用二極管電源防反接方案存在的壓降和功耗過大的問題。VZ1為穩(wěn)壓管防止柵源電壓過高擊穿mos管。P溝道MOS管防反接保護電路電路如示因為NMOS管的導(dǎo)通電阻比PMOS的小且價格相對更便宜,選NMOS。