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產(chǎn)品簡介
西門子6ES7134-4GB10-0AB0
西門子6ES7134-4GB10-0AB0
產(chǎn)品價格:¥面議
上架日期:2020-12-10 12:09:05
產(chǎn)地:
發(fā)貨地:湖南長沙市
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詳細說明

    西門子6ES7134-4GB10-0AB0

    2AI, I, ST, 4-WIRE

    西門子6ES7134-4GB10-0AB0

    變頻器設(shè)置較高的脈沖頻率所帶來的好處有:

    • 較高脈沖頻率可以獲得更高的輸出頻率

    • 對于驅(qū)動特定電機不需要降容,例如1FW力矩電機、SIMOTICS FD電機

    • 某些特定應(yīng)用例如等時同步通訊可以不降容或者少降容,例如等時同步模式需要電流環(huán)掃描周期為125 μs或其整數(shù)倍

    • 在變頻驅(qū)動系統(tǒng)中,可降低電機的電磁噪聲,同時有助于減小IGBT開關(guān)噪聲

    S120 Chassis-2的脈沖調(diào)制頻率出廠默認為2.5 kHz,相較于現(xiàn)在的S120 Chassis-1提高了一倍,這樣獲得提高脈沖頻率帶來的優(yōu)勢,又極大減小降容帶來的影響。

    在自由負載周期中,負載電流周期性的變化將導(dǎo)致IGBT芯片溫度升高及溫度波動,從而減少IGBT的使用壽命。為減少溫升和溫度變化對IGBT的影響,需要減小負載電流,進行一定的裝置降容。降容系數(shù)kIGBT是短時電流和基本負載電流的比值ΔI與負載循環(huán)周期T的函數(shù),對于現(xiàn)有的SINAMICS G130,G150和S120,不同額定功率的裝置共有三種不同的降容特性曲線,具體信息可以參考推文“自由負載周期的降容kIGBT的計算”。S120 Chassis-2由于采用了統(tǒng)一的新型IGBT設(shè)計及新型的冷卻技術(shù),將三種不同的降容特性曲線歸為一種,降容的值與S120 Chassis-1相比減小了一半,不僅工程設(shè)計上更簡化,而且可以給客戶提供更加經(jīng)濟的解決方案。

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