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     作為工作于開(kāi)關(guān)狀態(tài)的能量轉(zhuǎn)換裝置，開(kāi)關(guān)電源的電壓、電流變化率很高，產(chǎn)生的干擾強(qiáng)度較大； 干擾源主要集中在功率開(kāi)關(guān)期間以及與之相連的散熱器和高平變壓器，相對(duì)于數(shù)字電路干擾源的位置 較為清楚；開(kāi)關(guān)頻率不高（從幾十千赫和數(shù)兆赫茲），主要的干擾形式是傳導(dǎo)干擾和近場(chǎng)干擾；而印 刷線(xiàn)路板（PCB）走線(xiàn)通常采用手工布線(xiàn)，具有更大的隨意性，這增加了 PCB 分布參數(shù)的提取和近場(chǎng)干擾估計(jì)的難度。
1MHZ 以?xún)?nèi)----以差模干擾為主，增大 X 電容就可解決
1MHZ---5MHZ---差模共?；旌希捎幂斎攵瞬⒁幌盗蠿電容來(lái)濾除差摸干擾并分析出是哪種干擾超標(biāo) 并解決;5M---以上以共摸干擾為主，采用抑制共摸的方法。對(duì)于外殼接地的，在地線(xiàn)上用一個(gè)磁環(huán)繞 2 圈 會(huì)對(duì) 10MHZ 以上干擾有較大的衰減（diudiu2006）;對(duì)于 25--30MHZ 不過(guò)可以采用加大對(duì)地 Y 電容、 在變壓器外面包銅皮、改變 PCBLAYOUT、輸出線(xiàn)前面接一個(gè)雙線(xiàn)并繞的小磁環(huán)，最少繞 10 圈、在輸 出整流管兩端并 RC 濾波器。
30---50MHZ 普遍是 MOS 管高速開(kāi)通關(guān)斷引起，可以用增大 MOS 驅(qū)動(dòng)電阻，RCD 緩沖電路采用 1N4007 慢管，VCC 供電電壓用 1N4007 慢管來(lái)解決。
100---200MHZ 普遍是輸出整流管反向恢復(fù)電流引起，可以在整流管上串磁珠
100MHz-200MHz 之間大部分出于 PFCMOSFET 及 PFC 二極管，現(xiàn)在 MOSFET 及 PFC 二極管串磁 珠有效果，水平方向基本可以解決問(wèn)題，但垂直方向就很無(wú)奈了
開(kāi)關(guān)電源的輻射一般只會(huì)影響到 100M 以下的頻段。也可以在 MOS，二極管上加相應(yīng)吸收回路，但效率 會(huì)有所降低。
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