| 產(chǎn)品參數(shù) | |||
|---|---|---|---|
| 品牌 | TI | ||
| 封裝 | LSON-8 | ||
| 批號 | 23 | ||
| 數(shù)量 | 3531 | ||
| 制造商 | Texas Instruments | ||
| 產(chǎn)品種類 | MOSFET | ||
| RoHS | 是 | ||
| 安裝風格 | SMD/SMT | ||
| 封裝 / 箱體 | VSON-CLIP-8 | ||
| 通道數(shù)量 | 1 Channel | ||
| 晶體管極性 | N-Channel | ||
| Vds-漏源極擊穿電壓 | 30 V | ||
| Id-連續(xù)漏極電流 | 100 A | ||
| Rds On-漏源導通電阻 | 1 mOhms | ||
| Vgs - 柵極-源極電壓 | 10 V | ||
| Vgs th-柵源極閾值電壓 | 1.1 V | ||
| Qg-柵極電荷 | 49 nC | ||
| 最小工作溫度 | - 55 C | ||
| 最大工作溫度 | 150 C | ||
| Pd-功率耗散 | 195 W | ||
| 配置 | Single | ||
| 通道模式 | Enhancement | ||
| 高度 | 1 mm | ||
| 長度 | 6 mm | ||
| 系列 | CSD17573Q5B | ||
| 晶體管類型 | 1 N-Channel | ||
| 寬度 | 5 mm | ||
| 正向跨導 - 最小值 | 181 S | ||
| 下降時間 | 7 ns | ||
| 上升時間 | 20 ns | ||
| 典型關(guān)閉延遲時間 | 40 ns | ||
| 典型接通延遲時間 | 6 ns | ||
| 單位重量 | 91.700 mg | ||
| 可售賣地 | 全國 | ||
| 型號 | CSD17573Q5B | ||
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