| 產(chǎn)品參數(shù) | |||
|---|---|---|---|
| 型號(hào) | MCC26-16IO1B | ||
| 批號(hào) | 22 | ||
| 封裝方式 | 塑封 | ||
| 電流容量 | 大功率 | ||
| 關(guān)斷速度 | 高頻(快速) | ||
| 額定平均電流 | 162A | ||
| 正向轉(zhuǎn)折電壓 | 1600V | ||
| 正向阻斷峰值電壓 | 1600V | ||
| 反向峰值電壓 | 1600V | ||
| 正向平均壓降 | 1600V | ||
| 維持電流 | 26A | ||
| 控制極觸發(fā)電壓 | 1600V | ||
| 控制極觸發(fā)電流 | 26A | ||
| 是否進(jìn)口 | 是 | ||
| 關(guān)斷時(shí)間 | 否 | ||
| 封裝 | 標(biāo)準(zhǔn)封裝 | ||
| 加工定制 | 20 | ||
| 數(shù)量 | 999 | ||
| 品牌 | 艾賽斯 | ||
?德國(guó)IXYS艾賽斯可控硅模塊--可控硅有多種分類方法。
（一）按關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式分類：可控硅按其關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式可分為普通可控硅、雙向可控硅、逆導(dǎo)可控硅、門極關(guān)斷可控硅（GTO）、BTG可控硅、溫控可控硅和光控可控硅等多種。
（二）按引腳和極性分類：可控硅按其引腳和極性可分為二極可控硅、三極可控硅和四極可控硅。
（三）按封裝形式分類：可控硅按其封裝形式可分為金屬封裝可控硅、塑封可控硅和陶瓷封裝可控硅三種類型。其中，金屬封裝可控硅又分為螺栓形、平板形、圓殼形等多種；塑封可控硅又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種。
（四）按電流容量分類：可控硅按電流容量可分為大功率可控硅、中功率可控硅和小功率可控硅三種。通常，大功率可控硅多采用金屬殼封裝，而中、小功率可控硅則多采用塑封或陶瓷封裝。
（五）按關(guān)斷速度分類：可控硅按其關(guān)斷速度可分為普通可控硅和高頻（快速）可控硅。
（六）過零觸發(fā)-一般是調(diào)功，即當(dāng)正弦交流電交流電電壓相位過零點(diǎn)觸發(fā)，必須是過零點(diǎn)才觸發(fā)，導(dǎo)通可控硅。
（七）非過零觸發(fā)-無論交流電電壓在什么相位的時(shí)候都可觸發(fā)導(dǎo)通可控硅，常見的是移相觸發(fā)，即通過改變正弦交流電的導(dǎo)通角（角相位），來改變輸出百分比。
可控硅型號(hào)
按一機(jī)部IBI144一75的規(guī)定，普通型可控硅稱為KP型可控硅整流元件(又叫KP型硅閘流管》。普通可控硅的型號(hào)采用如下格式標(biāo)注:額定速態(tài)平均屯成系列共分為14個(gè)。正反向重復(fù)蜂值屯壓級(jí)別規(guī)定1000V以下的管子每100V為一級(jí)，1000V以上的管子每200V為一級(jí)。取電壓教除以100做為級(jí)別標(biāo)志。通態(tài)平均電壓組別依電壓大小分為9組，用宇毋表示。例如.KP500-12D表示的是通態(tài)平均電流為500A,額定(正反向重復(fù)峰值)電壓為1200V，管壓降(通態(tài)平均電壓)為0.6---0.7V的普通型可控硅。
綜上所述，小結(jié)如下:
(1)可控硅一般做成螺栓形和平板形，有三個(gè)電極，用硅半導(dǎo)體材料制成的管芯由PNPN四層組成。
(2)可控硅由關(guān)斷轉(zhuǎn)為導(dǎo)通必須同時(shí)具備兩個(gè)條件:(1〕受正向陽(yáng)極電壓;(2)受正向門極電壓。
(3)可控硅導(dǎo)通后，當(dāng)陽(yáng)極電流小干維持電流In時(shí).可控硅關(guān)斷。
(4)可控硅的特性主要是:1.陽(yáng)極伏安特性曲線，2.門極伏安特性區(qū)。
(5)應(yīng)在額定參數(shù)范圍內(nèi)使用可控硅。
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MCC26-16IO1B 可控硅模塊晶閘管驅(qū)動(dòng)德國(guó)艾賽斯半導(dǎo)體全新正品
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