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1. 電源輸入端跨接10 ~100uf的電解電容器。如有可能，接100uf以上的更好。
2. 原則上每個集成電路芯片都應布置一個0.01pf的瓷片電容，如遇印制板空隙不夠，可每4~8個芯片布置一個1 ~ 10pf的但電容。
3. 對于抗噪能力弱、關斷時電源變化大的器件，如 ram、rom存儲器件，應在芯片的 電源線和地線之間直接入退藕電容。
4、電容引線不能太長，尤其是高頻旁路電容不能有引線。此外，還應注意以下兩點：
a、 在印制板中有接觸器、繼電器、按鈕等元件時．操作它們時均會產生較大火花放電 ，必須采用附圖所示的 rc 電路來吸收放電電流。一般 r 取 1 ~ 2k，c取2.2 ~ 47uf。
cmos的輸入阻抗很高，且易受感應，因此在使用時對不用端要接地或接正電源。
由于大部分能量的交換也是主要集中于器件的電源和地引腳，而這些引腳又是獨立的直接和地電平面相連接的。這樣，電壓的波動實際上主要是由于電流的不合理分 布引起。但電流的分布不合理主要是由于大量的過孔和隔離帶造成的。這種情況下的電壓波動將主要傳輸和影響到器件的電源和地線引腳上。
為減小集成電路芯片電源上的電壓瞬時過沖，應該為集成電路芯片添加去耦電容。這可以有效去除電源上的毛刺的影響并減少在印制板上的電源環(huán)路的輻射。
當去耦電容直接連接在集成電路的電源管腿上而不是連接在電源層上時，其平滑毛刺的效果最好。這就是為什么有一些器件插座上帶有去耦電容，而有的器件要求去耦電容距器件的距離要足夠的小。
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