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● 電源輸入端跨接一個10～100uF的電解電容器，如果印制電路板的位置允許，采用100uF以上的電解電容器的抗干擾效果會更好。
● 為每個集成電路芯片配置一個0.01uF的陶瓷電容器。如遇到印制電路板空間小而裝不下時，可每4～10個芯片配置一個1～10uF鉭電解電容器，這種器件的高頻阻抗特別小，在500kHz～20MHz范圍內(nèi)阻抗小于1Ω，而且漏電流很?。?.5uA以下）。
對于噪聲能力弱、關(guān)斷時電流變化大的器件和ROM、RAM等存儲型器件，應(yīng)在芯片的電源線（Vcc）和地線（GND）間直接接入去耦電容。
● 去耦電容的引線不能過長，特別是高頻旁路電容不能帶引線。
● 在印制板中有接觸器、繼電器、按鈕等元件時．操作它們時均會產(chǎn)生較大火花放電，必須RC 電路來吸收放電電流。一般 R 取 1 ~ 2K，C取2.2 ~ 47UF。
● CMOS的輸入阻抗很高，且易受感應(yīng)，因此在使用時對不用端要接地或接正電源。

● 設(shè)計時應(yīng)確定使用高頻低頻中頻三種去耦電容，中頻與低頻去耦電容可根據(jù)器件與PCB功耗決定,可分別選47-1000uF和470-3300uF；高頻電容計算為: C=P/V*V*F。
● 每個集成電路一個去耦電容。每個電解電容邊上都要加一個小的高頻旁路電容。
● 用大容量的鉭電容或聚酷電容而不用電解電容作電路充放電儲能電容。使用管狀電時，外殼要接地。
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