4英寸硅基氮化鎵外延片生產(chǎn)商GaN-on-Si Power HEMT
蘇州恒邁瑞公司生產(chǎn)供應(yīng)4英寸硅基氮化鎵外延片及4英寸碳化硅基氮化鎵外延片。硅基氮化鎵外延片可應(yīng)用于D-mode/E-mode/RF-HEMT，硅基襯底厚度675-1000 μm。碳化硅基氮化鎵外延片RF HMET結(jié)構(gòu)應(yīng)用于微波電子器件，產(chǎn)品尺寸為4英寸-6英寸，碳化硅襯底為4H-SiC晶型，襯底厚度500um。氮化鎵緩沖層厚度1.8um，氮化鋁間隔層1nm。
同時(shí)我司也提供藍(lán)寶石基氮化鎵外延片，LED氮化鎵外延片。
