| 產(chǎn)品型號 | BSM200GB120DN2B |
| 制造商編號 | 641-BSM200GB120DN2B |
| 描述 | IGBT Modules 1200V 200A DUAL |
| 產(chǎn)品種類 |
IGBT 模塊 |
| 產(chǎn)品 |
IGBT Silicon Modules |
| 配置 |
Half Bridge Module |
| 集電極—發(fā)射極蕞大電壓 VCEO |
1200 V |
| 集電極—射極飽和電壓 |
2.5 V |
| 在25 C的連續(xù)集電極電流 |
290 A |
| 柵極—射極漏泄電流 |
400 nA |
| 功率耗散 |
1.4 KW |
| 蕞大工作溫度 |
+ 150 C |
| 封裝 / 箱體 |
Half Bridge2 |
| 柵極/發(fā)射極蕞大電壓 |
20 V |
| 安裝風(fēng)格 |
Screw |
