焊接的碳化硅功率模塊在單個封裝內(nèi)集成有兩個碳化硅晶體管并在150A/1200V額定電流/電壓下實現(xiàn)6 mΩ導(dǎo)通電阻。與傳統(tǒng)碳化硅功率模塊相比,此功率模塊的總體積減少了三分之一。SiC DioMOS(集成二極管的MOSFET)具有反向?qū)щ姸O管的特性,這些特性再加上該產(chǎn)品良好的可靠性,實現(xiàn)了非常緊湊而高效的功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。 歡迎致電我司合作三社功率半導(dǎo)體模塊。
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