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  表面波器件只能做在象鉭酸鋰或鈮酸鋰這樣特殊的單晶基底上。而BAW器件可以做在可選的任意基底上，比如硅就可以做為很好的基底，因而可以直接利用主流IC制造廠現有的工藝、設備和基底結構。制作BAW所需的大多數工序可以直接在標準IC生產設備上完成，而不需要任何改變。光刻也不是問題，0.8微米的特征尺寸就足夠了。一個BAW器件所需的光刻步驟在5個到10個之間。BAW中的缺陷密度也是次要問題，相當大的顆粒也不會導致諧振器失效。
  最關鍵的工序是足夠高品質的壓電層淀積。盡管壓電層是多晶的，但要求所有晶粒的C軸方向完全一致。方向不一致的晶粒會嚴重降低壓電藕合因子和品質因子。BAW器件所用材料最流行的有氮化鋁（AlN）、氧化鋅（ZnO）和鋯鈦酸鉛（PZT）。從BAW器件的性能出發(fā)，所用的材料有幾個參數必須考慮：
  壓電藕合系數kt2。它決定了電域與機械域間能量交換的程度。藕合系數太低的壓電層將不能用來制作滿足移動電話應用的帶寬要求的濾波器。從這個指標來看，PZT最優(yōu)（kt2=8-15%），其次是ZnO（kt2=7.5%）和AlN（kt2=6.5%）。
  介電常數r。諧振器的阻抗水平由諧振器的尺寸、壓電層厚度、介電常數共同決定。有較高的介電常數r，則可減少諧振器的尺寸。在這個指標上AlN和ZnO很接近，r都大約是10。PZT在這個指標上優(yōu)勢明顯，它的r可高達400。從聲學性能考慮，介電常數為100時就可以理想地工作在1GHz的頻率上。
  聲速vL（縱向）。低聲速材料可以使用較薄的壓電層，從而實現更小的器件。從這個指標看，ZnO和PZT優(yōu)于AlN。
  固有材料損耗。ZnO和AlN都是在BAW濾波器中經過驗證的材料。目前PZT在呈現足夠低的固有衰減方面還不成功。
溫度系數。由于壓電層決定了諧振頻率，因而它的溫度系數對器件的溫漂有巨大的影響。于ZnO相比，AlN的溫度系數是相當低的。
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