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產(chǎn)品簡(jiǎn)介
TLP184東芝光耦型號(hào)潮光光電藕合器
TLP184東芝光耦型號(hào)潮光光電藕合器
產(chǎn)品價(jià)格:¥1.25
上架日期:2012-09-10 16:18:43
產(chǎn)地:深圳
發(fā)貨地:深圳市福田區(qū)
供應(yīng)數(shù)量:不限
最少起訂:1pcs
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詳細(xì)說(shuō)明
    潮光光耦網(wǎng)www.tosharp.cn)立足世界級(jí)電子集散地深圳,16年的誠(chéng)信經(jīng)營(yíng),為客戶提供品牌原裝半導(dǎo)體,細(xì)分電子元器件市場(chǎng),專注光電耦合器領(lǐng)域,為終端廠商和技術(shù)人員提供光電耦合器產(chǎn)品的選型,采購(gòu)和整套的解決方案,潮光光耦網(wǎng)最終目標(biāo)成為全球品牌光耦資源整合者。
    以下型號(hào)可以替代TLP184
    TLP184詳細(xì)參數(shù)
         
    制造商   Toshiba
    產(chǎn)品種類   晶體管輸出光電耦合器
    封裝   SOP-4
    包裝   3000PCS/REEL
    TLP184描述說(shuō)明

     

    加強(qiáng)絕緣類輕薄通用晶體管耦合器: TLP184, TLP185

    由于使用了S06封裝,TLP184 和TLP185晶體管耦合器比前一代產(chǎn)品要輕薄,而且能在高溫下正常工作(Ta = 110度最大值)。
    TLP184 和TLP185分別是TLP180 and TLP181的更新產(chǎn)品。能輕易用這些產(chǎn)品代替現(xiàn)在的這些型號(hào),因?yàn)檫@些產(chǎn)品的參考衰減器尺寸與現(xiàn)在的MFSOP6封裝型號(hào)的尺寸是一樣的。而且,由于更輕薄,這些產(chǎn)品能將安裝高度從先前的2.8毫米,降低到2.3毫米。
    因?yàn)镾O6封裝能確保最小的間隙和爬電距離為5毫米,而不是現(xiàn)有型號(hào)MFSOP6封裝中的4毫米。所以這些產(chǎn)品的最大允許操作隔離電壓為 707 Vpk,EN60747-5-2中已明確規(guī)定過(guò)。 所以,TLP184 和 TLP185能更換DIP封裝區(qū)域的零件(TLP781,TLP785等)。而且,這種產(chǎn)品能確保內(nèi)部絕緣厚度為0.4毫米,而且屬于加強(qiáng)絕緣種類,符合國(guó)外安全標(biāo)準(zhǔn)。
    因?yàn)檫@些產(chǎn)品都達(dá)到了UL、cUL、VDE及BSI等國(guó)際認(rèn)證的安全標(biāo)準(zhǔn),所以他們非常適合AC適配器、開(kāi)關(guān)電源供電及FA設(shè)備等電子應(yīng)用場(chǎng)合。

    加強(qiáng)絕緣類輕薄通用晶體管耦合器封裝照片: TLP184, TLP185.

    特征

    • 工作溫度范圍: –55至110度
    • 集電極-發(fā)射極電壓 80V(最小值)
    • 隔離電流: 3750Vrms (最小值)
    • 電流轉(zhuǎn)換比率: 50至 400% (at IF = 5mA, VCE = 5V, Ta = 25°C)

    應(yīng)用

    • 開(kāi)關(guān)電源
    • FA設(shè)備(轉(zhuǎn)化器、伺服系統(tǒng)、可編程邏輯控制器)
    • 光伏電源調(diào)節(jié)器

    輪廓圖/內(nèi)部電路圖

    輪廓圖
    加強(qiáng)絕緣類輕薄通用晶體管耦合器輪廓說(shuō)明圖: TLP184, TLP185.
    內(nèi)部電路圖
    加強(qiáng)絕緣類輕薄通用晶體管耦合器內(nèi)部電路圖: TLP184, TLP185.

    電路實(shí)例

    適用于轉(zhuǎn)換器的通訊交流
    適用于轉(zhuǎn)換器的通訊交流電路實(shí)例說(shuō)明圖: TLP184, TLP185.

    主要規(guī)格

     

     

    加強(qiáng)絕緣類輕薄通用晶體管耦合器的主要規(guī)格: TLP184, TLP185
    項(xiàng)目 符號(hào) 單位 測(cè)試
    條件
    TLP180 / TLP181 TLP184 / TLP185
    最小值 典型值 最大值 最小值 典型值 最大值
    正向電壓 VF V IF=10mA 1 1.15 1.3 1.1 1.25 1.4
    集電極暗電流 ICEO μA VCE=48V - 0.01 0.1 - 0.01 0.08
    集電極-發(fā)射極擊穿電壓 V(BR)CEO V IC=0.5mA 80 - - 80 - -
    集電極--發(fā)射極擊穿電壓 V(BR)ECO V IE=0.1mA 7 - - 7 - -
    電流傳輸比 IC/IF % IF=5mA,
    VCE=5V
    50 - 600 50 - 400
    飽和CTR IC/IF(sat) % IF=1mA,
    VCE=0.4V
    - 60 - - 60 -
    飽和CTR, GB檔產(chǎn)品 30 - - 30 - -
    集電極-發(fā)射極飽和電壓 VCE(sat) V IC=2.4mA,
    IF=8mA
    - - 0.4 - - 0.3
    集電極-發(fā)射極飽和電壓,
    GB檔
    IC=0.2mA,
    IF=1mA
    - - 0.4 - - 0.3
    斷開(kāi)的集電極電流 IC(off) μA VF=0.7V,
    VCE=48V
    - - 10 - 1 10

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