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產(chǎn)品簡(jiǎn)介
上海長(zhǎng)園維安代理商WML13N50D1
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    上海長(zhǎng)園維安/深圳市聯(lián)大電子有限公司(總代理)

    廖雪花:電話13670166496  QQ1046342124微信:13670166496(廣東辦事處)

    地址:深圳市龍華區(qū)民治布龍路荔苑大廈B座1005

    長(zhǎng)園微安一家國(guó)內(nèi)上市公司,擁有英飛凌的技術(shù),散熱好,內(nèi)阻低,溫升好,性價(jià)比高的一

    款國(guó)內(nèi)具影響力的MOS原廠

    1.通態(tài)阻抗小,通態(tài)損耗小。

    由于SJ-MOSRdson遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于VDMOS,在系統(tǒng)電源類產(chǎn)品中SJ-MOS的導(dǎo)通損耗必然較之VDMOS要減少的多。其大大提高了系統(tǒng)產(chǎn)品上面的單體MOSFET的導(dǎo)通損耗,提高了系統(tǒng)產(chǎn)品的效率,SJ-MOS的這個(gè)優(yōu)點(diǎn)在大功率、大電流類的電源產(chǎn)品產(chǎn)品上,優(yōu)勢(shì)表現(xiàn)的尤為突出。

    同等功率規(guī)格下封裝小,有利于功率密度的提高。

    首先,同等電流以及電壓規(guī)格條件下,SJ-MOS的晶源面積要小于VDMOS工藝的晶源面積,這樣作為MOS的廠家,對(duì)于同一規(guī)格的產(chǎn)品,可以封裝出來(lái)體積相對(duì)較小的產(chǎn)品,有利于電源系統(tǒng)功率密度的提高。其次,由于SJ-MOS的導(dǎo)通損耗的降低從而降低了電源類產(chǎn)品的損耗,因?yàn)檫@些損耗都是以熱量的形式散發(fā)出去,我們?cè)趯?shí)際中往往會(huì)增加散熱器來(lái)降低MOS單體的溫升,使其保證在合適的溫度范圍內(nèi)。由于SJ-MOS可以有效的減少發(fā)熱量,減小了散熱器的體積,對(duì)于一些功率稍低的電源,甚至使用SJ-MOS后可以將散熱器徹底拿掉。有效的提高了系統(tǒng)電源類產(chǎn)品的功率密度。

    柵電荷小,對(duì)電路的驅(qū)動(dòng)能力要求降低。

    傳統(tǒng)VDMOS的柵電荷相對(duì)較大,我們?cè)趯?shí)際應(yīng)用中經(jīng)常會(huì)遇到由于IC的驅(qū)動(dòng)能力不足造成的溫升問(wèn)題,部分產(chǎn)品在電路設(shè)計(jì)中為了增加IC的驅(qū)動(dòng)能力,確保MOSFET的快速導(dǎo)通,我們不得不增加推挽或其它類型的驅(qū)動(dòng)電路,從而增加了電路的復(fù)雜性。SJ-MOS的柵電容相對(duì)比較小,這樣就可以降低其對(duì)驅(qū)動(dòng)能力的要求,提高了系統(tǒng)產(chǎn)品的可靠性。

    2.節(jié)電容小,開(kāi)關(guān)速度加快,開(kāi)關(guān)損耗小。

    由于SJ-MOS結(jié)構(gòu)的改變,其輸出的節(jié)電容也有較大的降低,從而降低了其導(dǎo)通及關(guān)斷過(guò)程中的損耗。同時(shí)由于SJ-MOS柵電容也有了響應(yīng)的減小,電容充電時(shí)間變短,大大的提高了SJ-MOS的開(kāi)關(guān)速度。對(duì)于頻率固定的電源來(lái)說(shuō),可以有效的降低其開(kāi)通及關(guān)斷損耗。提高整個(gè)電源系統(tǒng)的效率。這一點(diǎn)尤其在頻率相對(duì)較高的電源上,效果更加明顯

    WMO3N25D1 N-Channel VDMOS D1 TO-252 250 2.1 3 30 1.5
    WMM45N25D1 N-Channel VDMOS D1 TO-263 250 0.085 45 30 3
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