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本發(fā)明的目的在于提供一種實現(xiàn)淺溝道隔離的工藝方法，使得化學氣相沉積工藝在相同的條件下可以填充更小尺寸的隔離層而不需要引進填充能力更好的新材料，降低了其深寬比，半導體淺溝道隔離層專用HD減速機CSF-40-80-2UH減小化學氣相沉積工藝的負擔。本發(fā)明的技術(shù)方案是一種淺溝道隔離的工藝方法，包括以下步驟:提供一半導體襯底，并在所述半導體襯底上覆蓋氧化層；進行曝光與刻蝕工藝，以在所述氧化層與半導體襯底中形成淺溝道隔離凹槽；沉積隔離層，所述隔離層填滿所述淺溝道隔離凹槽；進行次平坦化，對所述隔離層實施平坦化處理并且不露出氧化層；進行濕法刻蝕，去除剩余的隔離層與所述氧化層；在所述半導體襯底上依次覆蓋氧化層和氮化層；進行曝光與刻蝕工藝，刻蝕部分所述氮化層，以形成淺溝道隔離凹槽，所述淺溝道隔離凹槽與所述淺溝道隔離凹槽一一對應且相互對準；沉積隔離層；進行次平坦化，對所述隔離層實施平坦化處理，形成淺溝道隔離。進一步的，所述氧化層和氧化層的材質(zhì)為氧化硅，所述氮化層的材質(zhì)為
氮化硅。進一步的，所述隔離層和隔離層的材質(zhì)為氧化硅。進一步的，所述隔離層和隔離層采用化學氣相沉積法形成，并且沉積后凹槽中沒有不合規(guī)格的氣泡。進一步的，在進行次平坦化和次平坦化的步驟中，均采用化學機械研磨法。進一步的，在進行次平坦化之后，所述氧化層上剩余的隔離層厚度為50埃 600埃。進一步的，在形成淺溝道隔離的步驟和形成淺溝槽隔離的步驟中，使用相同的掩模板進行曝光。進一步的，在所述半導體襯底上沉積隔離層的步驟之前還包括，采用濕法刻蝕擴大所述淺溝道隔離凹槽的寬度。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點:1、本發(fā)明通過在形成氮化層的步驟之前，先形成淺溝槽隔離凹槽，相比于現(xiàn)有技術(shù)，降低了隔離層填充的淺溝道隔離凹槽時的深寬比，從而提高了填充能力，實現(xiàn)較佳的隔離效果，并降低工藝制作成本；2、在次平坦化步驟中對隔離層實施平坦化時不露出氧化層，保留部分隔離層的厚度，能夠防止平坦化步驟對半導體襯底的損傷，其后用濕法均勻的去除半導體襯底上的氧化層與隔離層，保證了半導體襯底表面平坦度的同時，避免了半導體襯底可能的損傷，從而可以在一定的范圍下提高平坦化工藝的水平；3、半導體淺溝道隔離層專用HD減速機CSF-40-80-2UH本發(fā)明所述工藝過程方法簡單，可以與傳統(tǒng)淺溝道隔離相關(guān)工藝相融，無需引用新材料，就能實現(xiàn)較好的淺溝槽隔離，進而可以維持現(xiàn)有化學機械研磨、化學氣相沉積等設(shè)備的使用技術(shù)的節(jié)點范圍，并在相同的設(shè)備可以應用于更低節(jié)點技術(shù)生產(chǎn)，減小設(shè)備的更新頻率。


圖1a Id為現(xiàn)有技術(shù)中實現(xiàn)淺溝道隔離的制作過程的結(jié)構(gòu)示意圖。圖2為本發(fā)明一實施例中淺溝道隔離的制作過程流程圖。圖3a 3i為本發(fā)明一實施例中淺溝道隔離的制作過程的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施例方式為使本發(fā)明的內(nèi)容更加清楚易懂，以下結(jié)合說明書附圖，對本發(fā)明的內(nèi)容做進一步說明。當然本發(fā)明并不局限于該具體實施例，本領(lǐng)域的技術(shù)人員所熟知的一般替換也涵蓋在本發(fā)明的保護范圍內(nèi)。其次，本發(fā)明利用示意圖進行了詳細的表述，在詳述本發(fā)明實例時，為了便于說明，示意圖不依照一般比例局部放大，不應對此作為本發(fā)明的限定。本發(fā)明的核心思想是:通過在形成氮化層的步驟之前先形成淺溝槽隔離凹槽，減小了沉積的深度，在相同的工藝條件下不需要引進新材料就可以提高淺溝道隔離凹槽的填充能力；半導體淺溝道隔離層專用HD減速機CSF-40-80-2UH用濕法處理次平坦化之后半導體襯底上剩余的隔離層和氧化層，保證平坦度的同時避免了半導體襯底的損傷。圖2為本發(fā)明一實施例中淺溝道隔離的制作過程流程圖，如圖2所示，本發(fā)明提出一種實現(xiàn)淺溝道隔離的工藝方法，包括以下步驟:步驟SOl:提供一半導體襯底，并在所述半導體襯底上覆蓋氧化層；步驟S02:進行曝光與刻蝕工藝，以在所述氧化層與半導體襯底中形成淺溝道隔離凹槽；步驟S03:沉積隔離層，所述隔離層填滿所述淺溝道隔離凹槽；步驟S04:進行次平坦化，對所述隔離層實施平坦化處理并且不露出第

權(quán)利要求
1.一種實現(xiàn)淺溝道隔離的工藝方法，其特征在于，包括以下步驟: 提供一半導體襯底，并在所述半導體襯底上覆蓋氧化層； 進行曝光與刻蝕工藝，以在所述氧化層與半導體襯底中形成淺溝道隔離凹槽； 沉積隔離層，所述隔離層填滿所述淺溝道隔離凹槽； 進行次平坦化，對所述隔離層實施平坦化處理并且不露出氧化層； 進行濕法刻蝕，去除剩余的隔離層與所述氧化層； 在所述半導體襯底上依次覆蓋氧化層和氮化層； 進行曝光與刻蝕工藝，刻蝕部分所述氮化層，以形成淺溝道隔離凹槽，所述淺溝道隔離凹槽與所述淺溝道隔離凹槽一一對應且相互對準； 沉積隔離層； 進行次平坦化，對所述隔離層實施平坦化處理，形成淺溝道隔離。
2.如權(quán)利要求1所述的實現(xiàn)淺溝道隔離的工藝方法，其特征在于，所述氧化層和氧化層的材質(zhì)為氧化硅，所述氮化層的材質(zhì)為氮化硅。
3.如權(quán)利要求1所述的實現(xiàn)淺溝道隔離的工藝方法，其特征在于，所述隔離層和隔離層的材質(zhì)為氧化硅。
4.如權(quán)利要求3所述的實現(xiàn)淺溝道隔離的工藝方法，其特征在于，所述隔離層和隔離層采用化學氣相沉積法形成。
5.如權(quán)利要求1所述的實現(xiàn)淺溝道隔離的工藝方法，其特征在于，在進行次平坦化和次平坦化的步驟中，均采用化學機械研磨法。
6.如權(quán)利要求1所述的實現(xiàn)淺溝道隔離的工藝方法，其特征在于，在進行次平坦化之后，所述氧化層上剩余的隔離層厚度為50埃 600埃。
7.如權(quán)利要求1至6中任意一項所述的實現(xiàn)淺溝道隔離的工藝方法，其特征在于，在形成淺溝道隔離凹槽的步驟和形成淺溝槽隔離凹槽的步驟中，使用相同的掩模板進行曝光。
8.如權(quán)利要求1至6中任意一項所述的實現(xiàn)淺溝道隔離的工藝方法，其特征在于，在所述半導體襯底上沉積隔離層的步驟之前還包括，采用濕法刻蝕擴大所述淺溝道隔離凹槽的寬度。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種實現(xiàn)淺溝道隔離的工藝方法，包括在半導體襯底上覆蓋氧化層，并形成淺溝道隔離凹槽，沉積隔離層填充所述淺溝道隔離凹槽，對隔離層實施平坦化并且不露出氧化層，濕法刻蝕去除剩余的隔離層與氧化層，依次覆蓋氧化層和氮化層，刻蝕所述氮化層形成淺溝道隔離凹槽。通過兩次隔離材料的填充降低了凹槽深寬比，在相同的工藝條件下不需要引進新材料就可以提高淺溝道隔離凹槽的填充能力，同時采用的濕法刻蝕去除隔離層保證平坦度的同時避免了對半導體襯底可能的損傷。