一、測(cè)試種類全
1、二極管DIODE
2、晶體管 TRANSISTOR
3、J型場(chǎng)效應(yīng)管J-FET
4、MOS場(chǎng)效應(yīng)管 MOS-FET
5、雙向可控硅開關(guān)器件(雙向晶閘管)TRIAC
6、單向可控硅整流器(普通晶閘管)SCR
7、絕緣柵雙極大功率晶體管IGBT
8、硅觸發(fā)可控硅STS
9、達(dá)林頓陣列DARLINTON
10、光電耦合器件OPTO-COUPLER
11、穩(wěn)壓二極管、齊納二極管ZENER
IR;BVZ;VzMIN;IR;VF;ZZ
12、三端電源穩(wěn)壓器件REGULATOR
二、測(cè)試速度高
測(cè)試速度38.4K,可帶各種機(jī)械手、探針臺(tái);
三、數(shù)據(jù)保存
可直接保存為*.txt或excel表格形式,作為數(shù)據(jù)保存;
四、智能測(cè)量
可以單步測(cè)試、連續(xù)測(cè)試,適用于元器件篩選。
五、性價(jià)比高
美國技術(shù),國產(chǎn)化產(chǎn)品。
六、主要參數(shù)
主極參數(shù)
1、主極電壓: 100mV---2000V
2、電壓分辨率:5mV
3、電壓精度:1%
4、主極電流:100nA---50A加選件YB550向下可擴(kuò)展到20pA,
加選件YB580-X向上可擴(kuò)展到:500A,1000A,1250A。
5、電流分辨率:1nA 加選件YB550分辨率為10pA
6、電流精度:1%+10nA+20pA/V
控制極參數(shù)
1、控制極電壓:100mV---20V加選件可擴(kuò)展到80V
2、電壓分辨率:5mV
3、電壓精度:1%
4、控制極電流:100nA---10A 加選件可擴(kuò)展到40A
5、電流分辨率:100nA 加選件YB550分辨率為1pA
6、電流精度:1%+10nA+20pA/V